隨著功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、場(chǎng)效應(yīng)晶閘管等主要開(kāi)關(guān)器件的出現(xiàn)，以及功率電子變換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的發(fā)展，代電子負(fù)載是利用有源元件主動(dòng)從電源中吸收電流。
它是一種電流吸收器件，一般是由放大器和功率器件等電子元件組成的可調(diào)負(fù)載。它基于對(duì)功率管或晶體管的導(dǎo)通（占空比）的控制，通過(guò)功率管的功率耗散來(lái)消耗電能?？蓽?zhǔn)確檢測(cè)充電電壓，精確調(diào)節(jié)充電電流。同時(shí)可以模擬負(fù)載短路。模擬負(fù)載為感性或容性電阻，可以模擬充電設(shè)備在真實(shí)環(huán)境中使用，實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)和調(diào)節(jié)充電電流控制。
現(xiàn)有的電子負(fù)載大多為模擬控制環(huán)節(jié)，調(diào)諧控制的適應(yīng)性和實(shí)時(shí)性較差，無(wú)法針對(duì)不同電源的具體情況量身定制。電子負(fù)載數(shù)字化、智能化的關(guān)鍵在于控制模塊的數(shù)字化。采用DSP實(shí)現(xiàn)數(shù)字電子負(fù)載，即用DSC代替?zhèn)鹘y(tǒng)電子負(fù)載中的MCU控制芯片，采用最合理的控制算法來(lái)實(shí)現(xiàn)控制要求。采用MIPS的數(shù)字信號(hào)處理器不僅顯著提高了產(chǎn)品性能，而且大大簡(jiǎn)化了產(chǎn)品設(shè)計(jì)流程。
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